Микрочиповая технология MSCSM170TLM23C3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM170TLM23C3AG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 5
Артикул: MSCSM170TLM23C3AG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $415.3700

Дополнительная цена:$415.3700

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	4 N-канала (трехуровневый инвертор)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1700В (1,7кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	124А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	22,5 мОм при 60 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3,2 В при 5 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	356 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	6600пФ при 1000В
Мощность - Макс.	602 Вт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	СП3Ф
Базовый номер продукта	МСКСМ170
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-MSCSM170TLM23C3AG
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 1700 В (1,7 кВ), 124 А (Tc), 602 Вт (Tc), крепление на шасси SP3F