Микрочиповая технология MSCSM70AM025T6LIAG

ПМ-МОП-транзистор-SIC-SP6L1

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM70AM025T6LIAG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2282
Артикул: MSCSM70AM025T6LIAG
Цены:мы создали исключительно гибкую и конкурентоспособную ценовую политику.

Количество:

Цена за единицу: $724,8700

Дополнительная цена:$724,8700

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	2 канала N (фазовая ветвь)
Особенность полевого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	700В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	689А (Тс)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	3,2 мОм при 240 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,4 В @ 24 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	1290 нК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	27000пФ при 700В
Мощность - Макс.	1,882 кВт (Тс)
Рабочая температура	-40°C ~ 175°C (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/кейс	Модуль
Пакет устройств поставщика	-
Базовый номер продукта	МСКСМ70
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без ограничений)
Статус REACH	REACH не затронут
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-MSCSM70AM025T6LIAG
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 700 В, 689 А (Tc), 1,882 кВт (Tc), крепление на шасси