Микрочиповая технология MSCSM70DUM07T3AG

PM-MOSFET-SIC-SP3F

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM70DUM07T3AG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 6410
Артикул: MSCSM70DUM07T3AG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $283.3800

Дополнительная цена:$283.3800

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	2 N-канальных (двойных) с общим обвинением
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	700В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	353А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	6,4 мОм при 120 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,4 В @ 12 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	645 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	13500пФ при 700В
Мощность - Макс.	988 Вт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	СП3Ф
Базовый номер продукта	МСКСМ70
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-MSCSM70DUM07T3AG
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 700 В, 353 А (Tc) 988 Вт (Tc), крепление на багажнике SP3F