Микрочиповая технология MSCSM70TLM44C3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM70TLM44C3AG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 1693 г.
Артикул: MSCSM70TLM44C3AG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $141,3800

Дополнительная цена:$141,3800

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	4 N-канала (трехуровневый инвертор)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	700В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	58А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	44 мОм при 30 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,7 В при 2 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	99 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	2010пФ при 700В
Мощность - Макс.	176 Вт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	СП3Ф
Базовый номер продукта	МСКСМ70
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-MSCSM70TLM44C3AG
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 700 В, 58 А (Tc), 176 Вт (Tc), крепление на кронштейне SP3F