Микрочиповая технология MSCSM70XM19CTYZBNMG
PM-MOSFET-SIC-SBD-NHPD
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM70XM19CTYZBNMG
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация:-
- Запас: 2287
- Артикул: MSCSM70XM19CTYZBNMG
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | МОП-транзистор |
| Конфигурация | 3 фаза |
| Текущий | 110 А |
| Напряжение | 650 В |
| Напряжение – изоляция | 4000 В (среднеквадратичное значение) |
| Тип монтажа | Крепление на шасси |
| Пакет/ключи | Модуль |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.39.0001 |
| Другие имена | 150-MSCSM70XM19CTYZBNMG |
| Стандартный пакет | 1 |
Модуль драйвера питания, модуль MOSFET, 3 фазы, 650 В, 110 А
Больше продуктов
- Инфинеон Технологии IRAMX16UP60A
- Инфинеон Технологии IRAMS10UP60A
- Инфинеон Технологии IRAMS06UP60B
- Инфинеон Технологии IRAMS10UP60B
- Инфинеон Технологии IRAMS06UP60A
- Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов EMP15P12D
- онсеми FCAS50SN60
- онсеми FSAM10SH60A
- онсеми FSAM10SM60A
- онсеми FSAM15SH60A
- онсеми FSAM15SL60
- онсеми FSAM15SM60A
- онсеми FSAM20SH60A
- онсеми FSAM20SL60
- онсеми FSAM20SM60A