Микрочиповая технология UM7104E
SI PPIN ГЕРМЕТИЧНОЕ СТЕКЛО ОСЕВОЕ
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология UM7104E
- Упаковка: Поднос
- Техническая спецификация:-
- Запас: 6943
- Артикул: UM7104E
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип диода | PIN-код – одиночный |
| Напряжение — пиковое обратное (макс.) | 400В |
| Эмкость @ Вр, Ф | 1,2 пФ при 100 В, 1 МГц |
| Сопротивление @ Если, F | 600 мОм при 100 мА, 100 МГц |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1,5 Вт |
| Рабочая температура | -65°С ~ 175°С |
| Пакет/ключи | Осевой |
| Поставщик пакета оборудования | Осевой |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.10.0060 |
| Другие имена | 150-UM7104E |
| Стандартный пакет | 1 |
RF-диод PIN — одиночный, 400 В, 1,5 Вт, осевой
Больше продуктов
- Диоды Инкорпорейтед 1N4001-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4002-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4003-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4004-T
- Диоды Инкорейтед 1N4005-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4006-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4007-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4148-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5228B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5230B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5231B-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5232B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5233B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5234B-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5235B-T