| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Коробка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый, Летучий |
| Формат памяти | ФЛЕШ, ОЗУ |
| Технология | ФЛЕШ-NAND (SLC), DRAM- LPDDR4 |
| Размер | 8 Гбит (NAND), 8 Гбит (LPDDR4) |
| Организация | 1 ГБ х 8 (NAND), 512 М х 16 (LPDDR4) |
| Интерфейс памяти | ОНФИ |
| Тактовая частота | 2133 ГГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 20 нс, 30 нс |
| Время доступа | 25 нс |
| Напряжение питания | 1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 149-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 149-ВФБГА (8х9,5) |
| Другие имена | 557-МТ29ГЗ6А6БПИЭТ-046АИТ.112 |
| Стандартный пакет | 1 |
FLASH — NAND (SLC), DRAM — LPDDR4 ИС память 8 Гбит (NAND), 8 Гбит (LPDDR4) ONFI 2,133 ГГц 25 нс 149-VFBGA (8x9,5)