Micron Technology Inc. MT40A256M16TB-062E: G
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
- Проиджоделх: Micron Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT40A256M16TB-062E: G
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 3127
- Sku: MT40A256M16TB-062E: g
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Micron Technology Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - DDR4 |
| Raзmerpmayti | 4 Гит |
| Органихая | 256 м x 16 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 1,6 -е |
| Верный | 15NS |
| Вернее | 19 млн |
| Napraheneee - posta | 1,14 n 1,26 |
| Rraboч -yemperatura | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 96-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 96-FBGA (7,5x13) |
| Baзowый nomer prodikta | MT40A256M16 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Eccn | Управо |
| Дрогин ИНЕНА | 557-MT40A256M16TB-062E: g |
| Станодар | 1080 |
SDRAM - DDR4 Memory IC 4GBIT PARALLEL 1,6 -ggц 19 NS 96 -FBGA (7,5x13)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p