Micron Technology Inc. MT40A4G4DVN-068H: E
IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA
- Проиджоделх: Micron Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT40A4G4DVN-068H: E
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 3786
- Sku: MT40A4G4DVN-068H: E.
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Micron Technology Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - DDR4 |
| Raзmerpmayti | 16 -й Гит |
| Органихая | 4G x 4 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 1467 ggц |
| Верный | - |
| Вернее | 27 млн |
| Napraheneee - posta | 1,14 n 1,26 |
| Rraboч -yemperatura | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 78-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 78-FBGA (7,5x11) |
| Baзowый nomer prodikta | MT40A4G4 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Eccn | Управо |
| Дрогин ИНЕНА | 557-MT40A4G4DVN-068H: e |
| Станодар | 210 |
SDRAM - DDR4 память IC 16GBIT PARALLELAH 1 467 гг 27 NS 78 -FBGA (7,5x11)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p