| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM — мобильный LPDDR4 |
| Размер | 8Гбит |
| Организация | 512М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 2133 ГГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,06 В ~ 1,17 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 95°С |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 200-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 200-ВФБГА (10х14,5) |
| Другие имена | 557-МТ53Д512М16Д1ДС-046ИТ:ДТР |
| Стандартный пакет | 2000 г. |
SDRAM — ИС мобильной памяти LPDDR4, 8 Гбит, параллельная частота, 2,133 ГГц, 200-WFBGA (10x14,5)