Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-053 IT:A TR

IC DRAM 2 ГБИТ PAR 200WFBGA

Производитель: Микрон Технология Инк.
Номер производителя: Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-053 IT:A TR
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация:-
Запас: 7033
Артикул: MT53E128M16D1DS-053 IT:A TR
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрон Технология Инк.
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Устаревший
Тип	Неустойчивый
Формат памяти	ДРАМ
Технология	SDRAM — мобильный LPDDR4
Размер	2Гбит
Организация	128М х 16
Интерфейс памяти	Параллельно
Тактовая частота	1866 ГГц
Время цикла записи — Word, Page	-
Напряжение питания	1,06 В ~ 1,17 В
Рабочая температура	-40°C ~ 95°C (TC)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	200-ВФБГА
Поставщик пакета оборудования	200-ВФБГА (10х14,5)
Базовый номер продукта	МТ53Е128
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
ECCN	УСТАРЕВШИЙ
Другие имена	557-MT53E128M16D1DS-053IT:ATR
Стандартный пакет	2000 г.

SDRAM — интегральная схема мобильной памяти LPDDR4, 2 Гбит, параллельная частота, 1866 ГГц, 200-WFBGA (10x14,5)