| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM — мобильный LPDDR4 |
| Размер | 4Гбит |
| Организация | 256М х 16 |
| Интерфейс памяти | - |
| Тактовая частота | 2133 ГГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,1 В |
| Рабочая температура | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Базовый номер продукта | МТ53Е256 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| Другие имена | 557-MT53E256M16D1FW-046AIT:БТР |
| Стандартный пакет | 2000 г. |
SDRAM — микросхема мобильной памяти LPDDR4, 4 Гбит, 2133 ГГц