| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM — мобильный LPDDR4X |
| Размер | 4Гбит |
| Организация | 256М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 2133 ГГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 18нс |
| Время доступа | 3,5 нс |
| Напряжение питания | 1,06 В ~ 1,17 В |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 200-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 200-ТФБГА (10х14,5) |
| Другие имена | 557-MT53E256M16D1FW-046AUT:БТР |
| Стандартный пакет | 2000 г. |
SDRAM — интегральная схема мобильной памяти LPDDR4X, 4 Гбит, параллельная, 2,133 ГГц, 3,5 нс, 200-TFBGA (10x14,5)