| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM — мобильный LPDDR4 |
| Размер | 64Гбит |
| Организация | 2Г х 32 |
| Интерфейс памяти | - |
| Тактовая частота | 2133 ГГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,1 В |
| Рабочая температура | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 200-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 200-ВФБГА (10х14,5) |
| Базовый номер продукта | МТ53Е2Г32 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| Другие имена | 557-MT53E2G32D4NQ-046WT:CTR |
| Стандартный пакет | 2000 г. |
SDRAM — ИС мобильной памяти LPDDR4, 64 Гбит, 2133 ГГц, 200-VFBGA (10x14,5)