Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 WT:B

IC DRAM 16 ГБИТ 2133 ГГц 200WFBGA

Производитель: Микрон Технология Инк.
Номер производителя: Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
Упаковка: Поднос
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6176
Артикул: MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $13.2750

Дополнительная цена:$13.2750

Подробности

Параметры
Стандартный пакет	1360
Производитель	Микрон Технология Инк.
Ряд	-
Упаковка	Поднос
Статус продукта	Активный
Тип	Неустойчивый
Формат памяти	ДРАМ
Технология	SDRAM — мобильный LPDDR4
Размер	16Гбит
Организация	512М х 32
Интерфейс памяти	Параллельно
Тактовая частота	2133 ГГц
Время цикла записи — Word, Page	18нс
Время доступа	3,5 нс
Напряжение питания	1,06 В ~ 1,17 В
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	200-ТФБГА
Поставщик пакета оборудования	200-ТФБГА (10х14,5)
Базовый номер продукта	МТ53Е512
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
Другие имена	557-MT53E512M32D1ZW-046WT:B

SDRAM — ИС мобильной памяти LPDDR4, 16 Гбит, параллельная, 2,133 ГГц, 3,5 нс, 200-TFBGA (10x14,5)