product_banner

Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B TR

Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAAT: B TR

IC DRAM 16GBIT 2133 GGц 200WFBGA

Проиджоделх: Micron Technology Inc.
NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAAT: B TR
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 1081
Sku: MT53E512M32D1ZW-046BAAT: B TR
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

ТЕГИ

Парметр
Млн	Micron Technology Inc.
В припании	Автомобиль, AEC-Q100
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ПАМАТИ	Nestabilnый
Формат пэмаи	Ддрам
Тела	SDRAM - Mobile LPDDR4X
Raзmerpmayti	16 -й Гит
Органихая	512M x 32
ИНЕРФЕРСП	Парлель
ТАКТОВА	2,133 Гер
Верный	18ns
Вернее	3,5 млн
Napraheneee - posta	1,06 В ~ 1,17
Rraboч -yemperatura	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	200-TFBGA
ПАКЕТИВАЕТСЯ	200 TFBGA (10x14.5)
Дрогин ИНЕНА	557-MT53E512M32D1ZW-046BAAT: Btr
Станодадж	1

SDRAM - Mobile LPDDR4X PAM -IC IC 16 ГБИБА ПАРАЛЛЕЛЯ 2 133 ГГА 3,5 млн.

Болх