Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B TR

IC DRAM 16 ГБИТ 2133 ГГц 200WFBGA

Производитель: Микрон Технология Инк.
Номер производителя: Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B TR
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация:-
Запас: 1081
Артикул: MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B ТР
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрон Технология Инк.
Ряд	Автомобильная промышленность, AEC-Q100
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип	Неустойчивый
Формат памяти	ДРАМ
Технология	SDRAM — мобильный LPDDR4X
Размер	16Гбит
Организация	512М х 32
Интерфейс памяти	Параллельно
Тактовая частота	2133 ГГц
Время цикла записи — Word, Page	18нс
Время доступа	3,5 нс
Напряжение питания	1,06 В ~ 1,17 В
Рабочая температура	-40°C ~ 105°C (TC)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	200-ТФБГА
Поставщик пакета оборудования	200-ТФБГА (10х14,5)
Другие имена	557-MT53E512M32D1ZW-046BAAT:БТР
Стандартный пакет	1

SDRAM — интегральная схема мобильной памяти LPDDR4X, 16 Гбит, параллельная, 2,133 ГГц, 3,5 нс, 200-TFBGA (10x14,5)