product_banner

Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 WT:F

Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 WT: F

MT53E512M32D2NP-046 WT: F.

Проиджоделх: Micron Technology Inc.
NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 WT: F
Епаково: Поднос
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 4042
Sku: MT53E512M32D2NP-046 WT: F.
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

ТЕГИ

Парметр
Млн	Micron Technology Inc.
В припании	-
Упако	Поднос
Степень Продукта	Управо
ТИП ПАМАТИ	Nestabilnый
Формат пэмаи	Ддрам
Тела	SDRAM - Mobile LPDDR4
Raзmerpmayti	16 -й Гит
Органихая	512M x 32
ИНЕРФЕРСП	-
ТАКТОВА	2,133 Гер
Верна, аписи -	-
Napraheneee - posta	1,1 В.
Rraboч -yemperatura	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	200-WFBGA
ПАКЕТИВАЕТСЯ	200-WFBGA (10x14,5)
Baзowый nomer prodikta	MT53E512
Статус Ройс	Rohs3
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Управо
Дрогин ИНЕНА	557-MT53E512M32D2NP-046WT: f
Станодадж	136

SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16GBIT 2133 -ggц 200 -WFBGA (10x14.5)

Болх