Micron Technology Inc. MT54V512H18EF-10

IC SRAM 9 МБИТ PAR 165FBGA

Производитель: Микрон Технология Инк.
Номер производителя: Micron Technology Inc. MT54V512H18EF-10
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 147
Артикул: МТ54В512Х18ЭФ-10
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $19.2500

Дополнительная цена:$19.2500

Подробности

Параметры
Производитель	Микрон Технология Инк.
Ряд	КДР™
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип	Неустойчивый
Формат памяти	СРАМ
Технология	SRAM — четырехпортовый, синхронный
Размер	9 Мбит
Организация	512К х 18
Интерфейс памяти	Параллельно
Тактовая частота	100 МГц
Время цикла записи — Word, Page	-
Напряжение питания	2,4 В ~ 2,6 В
Рабочая температура	0°С ~ 70°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	165-ТБГА
Поставщик пакета оборудования	165-ФБГА (13х15)
Базовый номер продукта	МТ54В512
Статус RoHS	не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	3A991B2A
ХТСУС	8542.32.0041
Стандартный пакет	1

SRAM — четырехпортовый, ИС синхронной памяти, 9 Мбит, параллельный, 100 МГц, 165-FBGA (13x15)