| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM-DDR2 |
| Размер | 18 Мбит |
| Организация | 1М х 18 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 167 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 6 нс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,9 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 165-ТБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 165-ФБГА (13х15) |
| Базовый номер продукта | MT57W1MH |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — ИС-память DDR2, 18 Мбит, параллельная, 167 МГц, 6 нс, 165-FBGA (13x15)