| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | СИНКБЕРСТ™ |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM – стандартный |
| Размер | 8 Мбит |
| Организация | 512К х 18 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 66 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 10 нс |
| Напряжение питания | 3,135 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 165-ТБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 165-ФБГА (13х15) |
| Статус RoHS | Непригодный |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | Поставщик не определен |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — стандартная микросхема памяти, 8 Мбит, параллельная, 66 МГц, 10 нс, 165-FBGA (13x15)