| Параметры |
| Производитель | МоСис, Инк. |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | БАРАН |
| Технология | СРАМ, РЛДРАМ |
| Размер | 512 Мбит |
| Организация | 128М х 4 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 3,2 нс |
| Напряжение питания | - |
| Рабочая температура | - |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 288-БГА, ФКБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 288-FCBGA (19x19) |
| Базовый номер продукта | MSQ220 |
| ECCN | 3A991B2B |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Другие имена | 2331-MSQ220AJC288-10 |
| Стандартный пакет | 84 |
ИС-память SRAM, RLDRAM, 512 Мбит, параллельный, 3,2 нс, 288-FCBGA (19x19)