| Параметры |
| Производитель | МоСис, Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | 1T-SRAM |
| Размер | 576Мбит |
| Организация | 8М х 72 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 1,25 ГГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 2,6 нс |
| Напряжение питания | 0,95 В |
| Рабочая температура | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 324-БГА |
| Поставщик пакета оборудования | 324-ПБГА (19х19) |
| Базовый номер продукта | МСР820 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 4 (72 часа) |
| ECCN | 3A991B2B |
| ХТСУС | 8542.32.0036 |
| Другие имена | 2331-MSR820AJC288-12 |
| Стандартный пакет | 84 |
ИС-память 1T-SRAM, 576 Мбит, параллельный, 1,25 ГГц, 2,6 нс, 324-PBGA (19x19)