Парметр |
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | МАССА |
Степень Продукта | Управо |
ТИП ФЕТ | П-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 60 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 8a (ta), 78a (TC) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 16,5mohm @ 20a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 2,5 -50 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 100 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 6400 pf @ 30 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 187W (TC) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 263 (D2PAK) |
PakeT / KORPUES | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB |
Baзowый nomer prodikta | AOB411 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 1 |
P-канал 60 В 8А (TA), 78A (TC) 187W (TC) PORHERхNOSTNONOENPLEPLENEEE-263 (D2PAK)