Технология микрочипа APT45GP120JDQ2

АПТ45GP120JDQ2

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT45GP120JDQ2
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 144
Артикул: АПТ45GP120JDQ2
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $43.2100

Дополнительная цена:$43.2100

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	СИЛА МОС 7®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ПТ
Конфигурация	Одинокий
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	75 А
Мощность - Макс.	329 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3,9 В при 15 В, 45 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	750 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce	4 нФ @ 25 В
Вход	Стандартный
НТЦ Термистор	Нет
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	ИЗОТОП
Поставщик пакета оборудования	ИЗОТОП®
Базовый номер продукта	АПТ45ГП120
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

Модуль IGBT PT Single, 1200 В, 75 А, 329 Вт, монтаж на шасси ISOTOP®