Vishay Siliconix SIHB30N60AEL-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIHB30N60AEL-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIHB30N60AEL-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 18
  • Артикул: SIHB30N60AEL-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $5.9500

Дополнительная цена:$5.9500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ЭЛЬ
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 28А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 120 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 120 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2565 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 250 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-263 (Д²Пак)
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Базовый номер продукта SIHB30
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1000
Н-канальный 600 В 28 А (Tc) 250 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-263 (D²Pak)