Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | π-mosvii |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 525 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 5а (таблица) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 10 В |
Rds on (max) @ id, vgs | 1,5 ОМ @ 2,5A, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 4,4 Е @ 1MA |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 11 NC @ 10 V |
Vgs (mmaks) | ± 30 v |
Взёр. | 540 PF @ 25 V |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 35 Вт (TC) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-220SIS |
PakeT / KORPUES | 220-3- |
Baзowый nomer prodikta | TK5A53 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 50 |
N-kanal 525-5a (ta) 35-yt (tc).