Парметр | |
---|---|
Млн | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
В припании | - |
Упако | Трубка |
Степень Продукта | Управо |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Коунфигура | N и п-канал |
FET FUONKSHINA | Logiчeskichй yrowenhe |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 60 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | - |
Rds on (max) @ id, vgs | 60mohm @ 4,7a, 10 В |
Vgs (th) (max) @ id | 3 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 7NC @ 10V |
Взёр. | 570pf @ 30v |
Синла - МАКС | 2,5 |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
PakeT / KORPUES | 8-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Pdip |
Baзowый nomer prodikta | AOP60 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодар | 50 |