| Параметры |
| ХТСУС | 8542.33.0001 |
| Стандартный пакет | 1 |
| Производитель | Национальный полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип усилителя | J-FET |
| Количество цепей | 2 |
| Тип выхода | - |
| Скорость нарастания | 15 В/мкс |
| Продукт увеличения пропускной способности | 4 МГц |
| Ток – входное смещение | 50 Па |
| Напряжение — входное смещение | 1 мВ |
| Текущий - Доставка | 3,6 мА (2 канала) |
| Напряжение – диапазон питания (мин.) | 10 В |
| Напряжение – диапазон питания (макс.) | 40 В |
| Рабочая температура | -55°С ~ 125°С |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-99-8 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-99-8 |
| ECCN | EAR99 |
Схема усилителя 2 J-FET TO-99-8