| Параметры |
| Производитель | Национальный полупроводник |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип усилителя | J-FET |
| Количество цепей | 2 |
| Тип выхода | - |
| Скорость нарастания | 13 В/мкс |
| Продукт увеличения пропускной способности | 4 МГц |
| Ток — входное смещение | 50 Па |
| Напряжение — входное смещение | 5 мВ |
| Текущий - Доставка | 3,6 мА (2 канала) |
| Ток — выход/канал | 17 мА |
| Напряжение – диапазон питания (мин.) | 36 В |
| Напряжение – диапазон питания (макс.) | 36 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 8-СОИК |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | Затронуто REACH |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.33.0001 |
| Стандартный пакет | 2500 |
J-FET усилитель 2, схема 8-SOIC