| Параметры |
| Производитель | Нирсон Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ВСПЫШКА |
| Технология | ВСПЫШКА – НО |
| Размер | 512 Мбит |
| Организация | 64М х 8 |
| Интерфейс памяти | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR |
| Тактовая частота | 112 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 50 мкс, 1 мс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 105°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 16-СОИК |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| Другие имена | 706-IS25WE512M-RMLE-TY |
| Стандартный пакет | 176 |
FLASH — ИС память NOR 512 Мбит SPI — Quad I/O, QPI, DTR 112 МГц, 16-SOIC