Nexperia USA Inc. GAN080-650EBEZ

650 В, 80 МОм НИТРИД ГАЛЛИЯ (

Производитель: Нексперия США Инк.
Номер производителя: Nexperia USA Inc. GAN080-650EBEZ
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2
Артикул: ГАН080-650ЭБЕЗ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $9.2500

Дополнительная цена:$9.2500

Подробности

Параметры
Производитель	Нексперия США Инк.
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	29А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	6В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	80 мОм при 8 А, 6 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В при 30,7 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	6,2 нк при 6 В
ВГС (Макс)	+7В, -6В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	225 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	240 Вт (Та)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Поставщик пакета оборудования	DFN8080-8
Пакет/ключи	8-ВДФН Открытая площадка
Базовый номер продукта	ГАН080
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	2500

N-канал 650 В 29 А (Ta) 240 Вт (Ta) для поверхностного монтажа, смачиваемая боковая поверхность DFN8080-8

Nexperia USA Inc. GAN080-650EBEZ

Подробности

Теги

Больше продуктов

О нас

УСЛУГИ

ПРОДУКЦИЯ