Nexperia USA Inc. GAN140-650FBEZ - Nexperia USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. GAN140-650FBEZ

650 В, 140 МОм НИТРИД ГАЛЛИЯ

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. GAN140-650FBEZ
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: ГАН140-650ФБЕЗ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $6.2500

Дополнительная цена:$6.2500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 17А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 140 мОм при 5 А, 6 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 17,2 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 3,5 НК при 6 В
ВГС (Макс) +7 В, -1,4 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 125 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 113 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Поставщик пакета оборудования DFN5060-5
Пакет/ключи 8-PowerVDFN
Базовый номер продукта ГАН140
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
N-канал 650 В 17 А (Ta) 113 Вт (Ta) для поверхностного монтажа, смачиваемая боковая поверхность DFN5060-5