Nexperia USA Inc. GAN190-650EBEZ

650 В, 190 МОм НИТРИД ГАЛЛИЯ

Производитель: Нексперия США Инк.
Номер производителя: Nexperia USA Inc. GAN190-650EBEZ
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2
Артикул: ГАН190-650ЭБЕЗ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4.9900

Дополнительная цена:$4.9900

Подробности

Параметры
Производитель	Нексперия США Инк.
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	11,5 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	6В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	190 мОм при 3,9 А, 6 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В при 12,2 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	2,8 НК при 6 В
ВГС (Макс)	+7 В, -1,4 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	96 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	125 Вт (Та)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность
Поставщик пакета оборудования	DFN8080-8
Пакет/ключи	8-ВДФН Открытая площадка
Базовый номер продукта	ГАН190
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	2500

N-канал 650 В 11,5 А (Ta) 125 Вт (Ta) для поверхностного монтажа, смачиваемая боковая поверхность DFN8080-8

Nexperia USA Inc. GAN190-650EBEZ

Подробности

Теги

Больше продуктов

О нас

УСЛУГИ

ПРОДУКЦИЯ