Nexperia USA Inc. GAN3R2-100CBEAZ
100 В, 3,2 МОм НИТРИД ГАЛЛИЯ
- Производитель: Нексперия США Инк.
- Номер производителя: Nexperia USA Inc. GAN3R2-100CBEAZ
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 1
- Артикул: ГАН3Р2-100СБЕАЗ
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Нексперия США Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | GaNFET (нитрид галлия) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 60А |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 5В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 3,2 мОм при 25 А, 5 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,5 В при 9 мА |
| Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | 12 НК @ 5 В |
| ВГС (Макс) | +6В, -4В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1000 пФ при 50 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 394 Вт |
| Рабочая температура | -40°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 8-ВЛЦП (3,5х2,13) |
| Пакет/ключи | 8-XFBGA, WLCSP |
| Базовый номер продукта | ГАН3Р2 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1500 |
Н-канальный, 100 В, 60 А, 394 Вт, для поверхностного монтажа, 8-WLCSP (3,5x2,13)
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740