Nexperia USA Inc. GAN7R0-150LBEZ

150 В, 7 МОм НИТРИД ГАЛЛИЯ (G

Производитель: Нексперия США Инк.
Номер производителя: Nexperia USA Inc. GAN7R0-150LBEZ
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2
Артикул: ГАН7Р0-150ЛБЕЗ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4.2100

Дополнительная цена:$4.2100

Подробности

Параметры
Производитель	Нексперия США Инк.
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	150 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	28А
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	5В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	7 МОм при 10 А, 5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,1 В при 5 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	7,6 нк при 5 В
ВГС (Макс)	+6В, -4В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	865 пФ при 85 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	28 Вт
Рабочая температура	-40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	3-ФКЛГА (3,2х2,2)
Пакет/ключи	3-ВЛГА
Базовый номер продукта	ГАН7Р0
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0040
Стандартный пакет	2500

Н-канальный, 150 В, 28 А, 28 Вт, для поверхностного монтажа, 3-FCLGA (3,2х2,2)