Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (IGM, E)
TLP109 (IGM, E)
- Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
- NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (IGM, E)
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 5714
- Sku: TLP109 (IGM, E)
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| Колист. Каналов | 1 |
| Naprayжeniee - yзolyahip | 3750vrms |
| Коэффигиэнт Переносатока (мин) | 25% @ 10ma |
| Коэффигиэнт Передахитока (МАКС) | 75% @ 10ma |
| Klючite / vыklючite -veremymape (typ) | 450ns, 450ns |
| Верна | - |
| ТИПВ | ТОК |
| Втипа | Траншистор |
| На | 20 |
| Ток - | 8 май |
| На | 1,64 |
| Current - DC Forward (if) (max) | 20 май |
| Vce nassheeneee (mmaks) | - |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 125 ° C. |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 6 SOIC (0,179 ", Ирина 4,55 мм), 5 проводников |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6 tyakowых, 5 -йлидирштва |
| Baзowый nomer prodikta | TLP109 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.49.8000 |
| Станодадж | 125 |
Оптол-апрель
