Микрочиповая технология JAN2N2060L
ЯНВ2Н2060Л
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология JAN2N2060L
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 8083
- Артикул: ЯНВ2Н2060Л
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/270 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 2 НПН (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 500 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 60В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300 мВ при 5 мА, 50 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 50 при 10 мА, 5 В |
| Мощность - Макс. | 2,12 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-78-6 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-78-6 |
| Базовый номер продукта | 2Н2060 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 NPN (двойная), 60 В, 500 мА, 2,12 Вт, сквозное отверстие ТО-78-6