NXP Semiconductors A2T18H455W23NR6 - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Полупроводники NXP A2T18H455W23NR6

A2T18H455W23N — радиочастотная мощность Airfast

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: Полупроводники NXP A2T18H455W23NR6
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 153
  • Артикул: А2Т18Х455В23НР6
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $162.2600

Дополнительная цена:$162.2600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Технология ЛДМОС
Конфигурация N-канал
Частота 1805 ГГц ~ 1,88 ГГц
Прирост 14,5 дБ при 1805 ГГц
Напряжение – Тест 31,5 В
Текущий рейтинг (А) 10 мкА
Коэффициент шума -
Текущий — Тест 1,08 А
Мощность — Выход 87 Вт
Напряжение - номинальное 65 В
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ОМ-1230-4Л2С
Поставщик пакета оборудования ОМ-1230-4Л2С
Другие имена 2156-А2Т18Х455В23НР6
Стандартный пакет 2
RF Mosfet 31,5 В 1,08 А 1,805–1,88 ГГц 14,5 дБ при 1805 ГГц 87 Вт OM-1230-4L2S