NXP Semiconductors BLF6G22LS-180RN - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors BLF6G22LS-180RN

BLF6G22LS ​​— мощность LDMOS 180 Вт т

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors BLF6G22LS-180RN
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 7433
  • Артикул: БЛФ6Г22ЛС-180РН
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Технология ЛДМОС
Конфигурация N-канал
Частота 2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц
Прирост 16 дБ
Напряжение – Тест 30 В
Текущий рейтинг (А) 5мкА
Коэффициент шума -
Текущий — Тест 1,4 А
Мощность — Выход 40 Вт
Напряжение - номинальное 65 В
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СОТ-502Б
Поставщик пакета оборудования СОТ502Б
Другие имена 2156-BLF6G22LS-180РН
Стандартный пакет 1
RF Mosfet 30 В 1,4 А 2,11–2,17 ГГц 16 дБ 40 Вт SOT502B