NXP Semiconductors BUK625R0-40C,118 - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors BUK625R0-40C,118

NEXPERIA BUK625R0-40C - 90А, 40В

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors BUK625R0-40C,118
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1250
  • Артикул: БУК625Р0-40С,118
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 90А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 5 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,8 В @ 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 88 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±16 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5200 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 158 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ДПАК
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Поставщик не определен
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 2156-БУК625Р0-40С,118-954
Стандартный пакет 1
N-канальный 40 В 90 А (Ta) 158 Вт (Ta) для поверхностного монтажа DPAK