NXP Semiconductors BUK6E4R0-75C,127
NEXPERIA BUK6E4R0-75C - 120А, 75
- Производитель: НХП Полупроводники
- Номер производителя: NXP Semiconductors BUK6E4R0-75C,127
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 19
- Артикул: БУК6Е4Р0-75С,127
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 306 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | И2ПАК |
| Пакет/ключи | ТО-262-3 Длинные выводы, I²Pak, ТО-262AA |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Поставщик не определен |
| Статус REACH | REACH не касается |
| Другие имена | 2156-БУК6Е4Р0-75С,127-954 |
| Стандартный пакет | 1 |
| Производитель | НХП Полупроводники |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 75 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 120А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 4,5 В, 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 4,2 мОм при 25 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,8 В @ 1 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 234 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±16 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 15450 пФ при 25 В |
N-канал 75 В 120 А (Tc) 306 Вт (Tc) сквозное отверстие I2PAK
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Вишай Силиконикс IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Vishay Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740