NXP Semiconductors BUK769R6-80E,118 - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors BUK769R6-80E,118

NEXPERIA BUK769R6-80E - 75А, 80В

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors BUK769R6-80E,118
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 486
  • Артикул: БУК769Р6-80Э,118
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,8600

Дополнительная цена:$0,8600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 75А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 9,6 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 59,8 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4682 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 182 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Д2ПАК
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 2156-БУК769Р6-80Э,118-954
Стандартный пакет 348
N-канальный 80 В 75 А (Tc) 182 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D2PAK