NXP Semiconductors BZX884-C13,315
ДИОДНЫЙ стабилитрон 13В 250МВт DFN1006-2
- Производитель: НХП Полупроводники
- Номер производителя: NXP Semiconductors BZX884-C13,315
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 1623 г.
- Артикул: BZX884-C13,315
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | НХП Полупроводники |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) | 13 В |
| толерантность | ±5% |
| Мощность - Макс. | 250 мВт |
| Импеданс (Макс) (Zzt) | 10 Ом |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 100 нА при 8 В |
| Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | 900 мВ при 10 мА |
| Рабочая температура | -65°С ~ 150°С |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СОД-882 |
| Поставщик пакета оборудования | DFN1006-2 |
| ХТСУС | 0000.00.0000 |
| Стандартный пакет | 1 |
Стабилитрон 13 В 250 мВт ±5 % для внешнего монтажа DFN1006-2
Больше продуктов
- Диоды Инкорпорейтед 1N5228B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5230B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5231B-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5232B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5233B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5234B-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5235B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5236B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5237B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5238B-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5239B-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5240B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5241B-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5242B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5243B-T