NXP Semiconductors PBSS4230QAZ - NXP Semiconductors Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PBSS4230QAZ

NEXPERIA PBSS4230QA - 30 В, 2 А NP

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PBSS4230QAZ
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 335
  • Артикул: PBSS4230QAZ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0700

Дополнительная цена:$0,0700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 2 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 30 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 190 мВ при 50 мА, 1 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 2А, 2В
Мощность - Макс. 325 мВт
Частота – переход 190 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 3-XDFN Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования DFN1010D-3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Другие имена 2156-ПБСС4230QAZ-954
Стандартный пакет 4480
Биполярный (BJT) транзистор NPN 30 В 2 А 190 МГц 325 мВт для поверхностного монтажа DFN1010D-3