NXP Semiconductors PHB29N08T,118 - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PHB29N08T,118

NEXPERIA PHB29N08T - 27А, 75В, 0

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PHB29N08T,118
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: PHB29N08T,118
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4000

Дополнительная цена:$0,4000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд ТренчМОС™
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 75 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 27А (Тц)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 11В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 50 мОм при 14 А, 11 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В при 2 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 810 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 88 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Д2ПАК
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
Другие имена 2156-ПХБ29Н08Т,118-954
Стандартный пакет 812
N-канальный 75 В 27 А (Tc) 88 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D2PAK