NXP Semiconductors PHD71NQ03LT,118 - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PHD71NQ03LT,118

NEXPERIA PHD71NQ03LT - ТРАНСЗИСТО

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PHD71NQ03LT,118
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7517
  • Артикул: PHD71NQ03LT,118
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд ТренчМОС™
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 75А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 5В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 10 мОм при 25 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13,2 НК при 5 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1220 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 120 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ДПАК
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Поставщик не определен
Статус REACH REACH не касается
Другие имена 2156-PHD71NQ03LT, 118-954
Стандартный пакет 1
N-канальный 30 В 75 А (Tc) 120 Вт (Tc) для поверхностного монтажа DPAK