NXP Semiconductors PMGD175XNEX

PMGD175X - 30 В, ДВОЙНОЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ

Производитель: НХП Полупроводники
Номер производителя: NXP Semiconductors PMGD175XNEX
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6040
Артикул: ПМГД175XNEX
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	НХП Полупроводники
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	870 мА (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	252 мОм при 900 мА, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	1,25 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	1,65 НК при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	81пФ при 15В
Мощность - Макс.	260 мВт (Та)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Поставщик пакета оборудования	СОТ-363
Базовый номер продукта	ПМГД175
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.21.0095
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 30 В, 870 мА (Ta), 260 мВт (Ta), для поверхностного монтажа SOT-363