NXP Semiconductors PMPB15XN,115 - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PMPB15XN,115

МОП-транзистор Н-Ч 20 В 7,3 А DFN2020MD-6

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PMPB15XN,115
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 5687
  • Артикул: ПМПБ15ХН,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7,3А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 21 мОм при 7,3 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 900 мВ при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 20,2 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1240 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,7 Вт (Та), 12,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования DFN1010B-6
Пакет/ключи 6-XFDFN Открытая площадка
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 1
N-канал 20 В 7,3 А (Ta) 1,7 Вт (Ta), 12,5 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа DFN1010B-6