NXP Semiconductors PMXB350UPEZ - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PMXB350UPEZ

NEXPERIA PMXB350UPE - 20 В, П-СН

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PMXB350UPEZ
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 675
  • Артикул: PMXB350UPEZ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,0600

Дополнительная цена:$0,0600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1,2 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,2 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 447 мОм при 1,2 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 950 мВ при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 2,3 нк при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 116 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 360 мВт (Ta), 5,68 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования DFN1010D-3
Пакет/ключи 3-XDFN Открытая площадка
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 2156-ПМХБ350УПЕЗ-954
Стандартный пакет 1
P-канал 20 В 1,2 А (Ta) 360 мВт (Ta), 5,68 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа DFN1010D-3