NXP Semiconductors PMXB75UPE/S500Z - NXP Semiconductors FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PMXB75UPE/S500Z

PMXB75UPE — траншейный MOS с P-каналом

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PMXB75UPE/S500Z
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 5866
  • Артикул: PMXB75UPE/S500Z
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2,9 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,2 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 85 мОм при 2,9 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 608 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 317 мВт (Ta), 8,33 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования DFN1010D-3
Пакет/ключи 3-XDFN Открытая площадка
Другие имена 2156-PMXB75UPE/S500Z
Стандартный пакет 1
P-канал 20 В 2,9 А (Ta) 317 мВт (Ta), 8,33 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа DFN1010D-3